NORmal: Architecting 3D Ferroelectric NOR Flash as Main Memory -- From Co-Fabricated BEOL Arrays to 200B-Class Multi-Agent LLMs in a Smartphone

Zhuoran Li, Chen Gu, Zhuohang Bian, Haochen Yu, Yibo Zhao, Xuxiao Yang, Zhaori Cong, Jinshan Yue, Qing Luo, Di Geng, Ling Li, Youwei Zhuo

На странице источника доступны аннотация, полный текст или сведения о том, где его прочитать. Препринт может ещё не пройти рецензирование; проверьте, появилась ли журнальная версия.