High-quality, deep formation and identification of oxygen-vacancy defects in silicon carbide

Ryo Shiotani, Fu-Chieh Chuang, Mitsuaki Kaneko, Tetsuri Nishikawa, Hiroshi Abe, Taiga Matsuoka, Shigehito Miki, Kazuki Okajima, Takeshi Ohshima, Yoshihiko Kanemitsu, Tsunenobu Kimoto, Naoya Morioka, Norikazu Mizuochi

На странице источника доступны аннотация, полный текст или сведения о том, где его прочитать. Препринт может ещё не пройти рецензирование; проверьте, появилась ли журнальная версия.