Interfacial Hole Accumulation Enables Selective Free-Surface Formation in Ge-on-Si

Youcef A Bioud, Meriem Bouchilaoun, Waldemar Schreiber, Redouane Amrar, Gilles Patriarche, Ali Soltani, Stefan Janz

На странице источника доступны аннотация, полный текст или сведения о том, где его прочитать. Препринт может ещё не пройти рецензирование; проверьте, появилась ли журнальная версия.